低能量離子減薄儀 IV5/IV8

產(chǎn)介紹：低能量離子減薄儀 IV5/IV8 

藥（械）準(zhǔn)字：無需注冊(cè)證號(hào)


性能特點(diǎn)如下：Technoorg 出的Gentle Mill系列產(chǎn)可用于*終拋光、很容易對(duì)先在標(biāo)準(zhǔn)高能離子減薄儀上或FIB上處理過的樣進(jìn)行清潔及改善性能。推薦用戶選擇Gentle Mill型號(hào)來進(jìn)行樣制備
無合成產(chǎn)物
幾乎無損壞 
*佳質(zhì)量的XTEM（截面透射電鏡），HRTEM（高分辨透射電鏡）或STEM（掃描透射電鏡）樣制備。
這些配置的離子減薄儀也可適用于對(duì)磨凹（凹坑）處理過的或薄的（< 25 μm）、平面的、被機(jī)械拋光的樣進(jìn)行快速減薄。

*主要特點(diǎn)：*主要特點(diǎn)點(diǎn)：Gentle Mill溫和型低能離子減薄儀（型號(hào)IV5/IV8）為*的制備高質(zhì)量TEM/FIB樣的離子減薄工作站
*的低能離子源：Gentle Mill離子束工作站所用的熱陰低能離子源，具有令人矚目的技術(shù)。其低能量的離子束確保使表面損壞及離子束誘導(dǎo)的無定形物減至*小限度。獨(dú)特的離子源結(jié)構(gòu)允許高離子束電流密度。所有離子槍參數(shù)包括加速電壓及陰電流由數(shù)字反饋回路全自動(dòng)控制，但它們?cè)跇又苽溥^程中也可手動(dòng)進(jìn)行改變。離子源參數(shù)的初始值既可自動(dòng)也可手動(dòng)設(shè)置，并可在電腦顯示屏中連續(xù)顯示。
無合成產(chǎn)物的樣制備：Gentle Mill在低能量離子轟擊時(shí)對(duì)樣無損壞的獨(dú)特能力，在應(yīng)用科學(xué)及材料研究域中，給用戶提供了研究合成材料及自然材料中實(shí)納米結(jié)構(gòu)的工具。
對(duì)TEM/FIB樣進(jìn)行清潔及后處理的快速、可靠的方法
獨(dú)立用戶模式，帶有預(yù)編程設(shè)置的自動(dòng)操作：第三代Gentle Mill 3（型號(hào)IV8）為全計(jì)算機(jī)控制，通過易使用的圖形界面操作。所有減薄參數(shù)包括離子源的設(shè)置、氣流量控制、其它減薄參數(shù)如樣移動(dòng)及傾斜角度的設(shè)置、穿孔檢測(cè)等可以被貯存，或以任意步數(shù)進(jìn)行預(yù)編程。這種全自動(dòng)特點(diǎn)減少了人為干預(yù)，可制備高質(zhì)量的樣。自動(dòng)終止功能為圖像分析模塊支持的減薄過程的光學(xué)終止（探測(cè)樣穿孔或監(jiān)視樣表面形貌）。Gentle Mill 3配有軟件擴(kuò)展功能，可實(shí)現(xiàn)在線技術(shù)支持，通過網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行即時(shí)故障偵測(cè)及問題排除。
樣進(jìn)樣系統(tǒng)：空裝載鎖定系統(tǒng)，可進(jìn)行快速樣換；全機(jī)械、無膠合樣裝載機(jī)構(gòu)；對(duì)XTEM樣特別設(shè)計(jì)的鈦框架及封裝技術(shù)
可應(yīng)用于工業(yè)環(huán)境研究
專門設(shè)計(jì)，可直接用于Hitachi的FIB-STEM/TEM系統(tǒng)3D樣托：基于Hitachi的FIB/STEM 和Technoorg的Gentle Mill 離子束工作站，Hitachi 與Technoorg合作共同提供了個(gè)完整方案用于特定要求低損壞樣的制備。半自動(dòng)和全自動(dòng)的Gentle Mill型號(hào)具有低能量離子減薄及清潔能力，可用于FIB樣制備的*后步驟來去除無定形物或損壞的表面層。這些型號(hào)可允許直接插入Hitachi的3D FIB/STEM樣桿，因而樣制備時(shí)間可大大地減少。
分類： Gentle Mill（型號(hào)為IV5），為計(jì)算機(jī)控制的標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)；Gentle Mill 3（型號(hào)為IV8），為全自動(dòng)型號(hào)；Gentle Mill Hi ａnd Gentle Mill 3 Hi為與Hitachi FIB/STEM系統(tǒng)兼容的型號(hào)。

技術(shù)參數(shù)：離子能量：100 - 2000 eV，連續(xù)可調(diào) 
離子電流密度：*大10 mA/cm2
離子束流：7 - 90 uA，連續(xù)可調(diào)
離子束直徑：750 - 1200 um (FWHM) 
減薄速率：2000 eV離子能量及30度離子束入射角時(shí)，c-Si上的減薄速率為28 um/h
樣臺(tái) 
減薄角度：0 - 45°，電子調(diào)節(jié)步長(zhǎng)為0.1° 
計(jì)算機(jī)控制樣平面旋轉(zhuǎn)
搖擺（0- 120°角度范圍，電子調(diào)節(jié)步長(zhǎng)為10°） 
出眾的厚度范圍：涵蓋TEM樣厚度（30 - 200 um）  
  

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更新時(shí)間：2024/9/10 12:38:28